研究開発用材料の提供

学術研究開発支援サービス / 各種半導体基板の少量販売

半導体電子材料・光材料のオーダメイドエピ成長膜(MBE)

GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInAs, InGaP, InAs, InP
Substrates: GaAs, InP

GaAs-, InP, GaN- related and SiC-related epitaxial structures

Applications:
LEDs, transistors, lasers (fabry-Perrot, VCSEL, quantum cascade), photo-detectors, optical amplifiers, solar cells ….

電子デバイス

HEMT、歪み系HEMT、 Power HEMT、MESFET、MOS、CMOS、Bi-CMOS、Bi-polar、InSbトランジスタ、HBT、SiGeHBT、単電子トランジスタ

光デバイス

DHレーザ、 QWレーザ、 歪み系、 マイクロキャビティ (VCSEL、LED、FP、 PD、各種アレイ: 650nm – 1550nm)

薄膜成長

酸化膜、窒化膜

主なサービス提供元(英国)

グラスゴー大学 III-V材料系MBEエピ成長、デバイスプロセシング 高速オプティカルモジュレータの開発
シェフィールド大学 III-V材料系MBE・MOVPEエピ成長、デバイスプロセシング
サリー大学 イオン注入
ワーリック大学 Si、SiGe系MBEエピ成長

主なサービス提供元(ポーランド)

ITME
(Institute of Electronic Materials Technology)
CVD成長高抵抗Siエピ成長、III-V系MOCVDエピ成長、特殊ボンディング基板(Alumina-copper)、小規模生産

グラフェンサンプル(Graphene Research)

グラフェンサンプル(Graphene Research)
http://www.grapheneresearch.com

単層、二層と少量層のグラフェン破片および2Dの材料(例:BN、MoS2、NbSe2、BSCCO)とCVDグラフェンを提供致します。

グラフェンサンプル グラフェンサンプル1 グラフェンサンプル2 グラフェンサンプル3

各種半導体基板の少量販売

GaAs、InSb、GaSb、GaP、InAs、InP, polyGaAs、GaN/Sapphire