GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInAs, InGaP, InAs, InP
Substrates: GaAs, InP
GaAs-, InP, GaN- related and SiC-related epitaxial structures
Applications:
LEDs, transistors, lasers (fabry-Perrot, VCSEL, quantum cascade), photo-detectors, optical amplifiers, solar cells ….
HEMT、歪み系HEMT、 Ｐｏｗｅｒ HEMT、MESFET、MOS、CMOS、Bi-CMOS、Bi-polar、InSbトランジスタ、HBT、SiGeHBT、単電子トランジスタ
DHレーザ、 QWレーザ、 歪み系、 マイクロキャビティ （VCSEL、LED、FP、 PD、各種アレイ： 650nm – 1550nm）
酸化膜、窒化膜
| グラスゴー大学 | III-V材料系MBEエピ成長、デバイスプロセシング 高速オプティカルモジュレータの開発 |
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| シェフィールド大学 | III-V材料系MBE・ＭＯＶＰＥエピ成長、デバイスプロセシング |
| サリー大学 | イオン注入 |
| ワーリック大学 | Si、SiGe系MBEエピ成長 |
| ITME (Institute of Electronic Materials Technology) |
CVD成長高抵抗Siエピ成長、III-V系MOCVDエピ成長、特殊ボンディング基板（Alumina-copper）、小規模生産 |
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グラフェンサンプル（Graphene Research）
http://www.grapheneresearch.com
単層、二層と少量層のグラフェン破片および２Dの材料（例：BN、MoS2、NbSe2、BSCCO）とCVDグラフェンを提供致します。
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GaAs、InSb、GaSb、GaP、InAs、InP, polyGaAs、GaN/Sapphire
